南京大学实验室已得到的介电常数低于2.0的高性能材料,在该领域处于国内领先水平,已申请发明专利2项(专利申请号:00410044831.5,200510037695.1),产业化前景广阔。
随着集成电路特征尺寸的逐渐减小,超低介电常数绝缘介质材料可应用于大规模集成电路、在CPU生成中替代传统Si02以及其他现有低介电薄膜,可十分有效地减少发热和延迟。 我校获得的该超低介电常数的纳米孔氧化硅薄膜材料优点显著: 1、介电常数低与2.0; 2、薄膜中的纳米微孔分布均匀; 3、薄膜中的微孔大小尺寸可调; 4、薄膜的刚性、柔性可调控; 5、薄膜电学性质稳定; 6、与硅片的粘附性好。
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