南京大学实验室已得到的介电常数低于2.0的高性能材料，在该领域处于国内领先水平，已申请发明专利2项（专利申请号：00410044831.5，200510037695.1），产业化前景广阔。

  

        随着集成电路特征尺寸的逐渐减小，超低介电常数绝缘介质材料可应用于大规模集成电路、在CPU生成中替代传统Si02以及其他现有低介电薄膜，可十分有效地减少发热和延迟。 我校获得的该超低介电常数的纳米孔氧化硅薄膜材料优点显著：
     1、介电常数低与2.0；
     2、薄膜中的纳米微孔分布均匀；
     3、薄膜中的微孔大小尺寸可调；
     4、薄膜的刚性、柔性可调控；  
     5、薄膜电学性质稳定；
     6、与硅片的粘附性好。