有机电致发光器件（OLED）在生活中得到了广泛应用，逐步取代液晶成为显示的主流。但用于超高清显示技术的OLED对其发光材料的光谱宽度需求由较高要求，并可以借此显著提升终端显示效果。具有窄谱带发射特性的多重共振型热激活延迟荧光(MR-TADF)材料在过去十年间取得了显著进展，器件效率逐步提高。但由于多数MR-TADF材料具有刚性的平面结构和较长的三线态激子寿命，相应的OLED常具有严重的效率滚降。
最近，研究院的科研团队分别将两个叔丁基咔唑硼单元（DtBuCzB）引入到二氯二甲基硅烷和二氯二苯基硅烷中，开发了两个通过二甲基硅基和二苯基硅基连接的MR-TADF材料：DMeSiB和DPhSiB。两个材料在甲苯中表现出窄谱带发射，半峰宽（FWHM）分别为21和22 nm，在 5%（质量分数）的掺杂薄膜中，其光致发光量子产率超过 90%。研究表明，引入四面体硅基基团减少了分子间的聚集，抑制了光谱展宽。此外，基于DMeSiB（D-DMeSiB）和DPhSiB（D-DPhSiB）的OLED表现出良好的性能，在5%的掺杂浓度下，最大外量子效率（EQEmax）分别为27.2%和28.6%，CIE色坐标分别为（0.07，0.50）和（0.08，0.53）。即使在20%的高掺杂浓度下，电致发光光谱（EL）的FWHM也仅为27 nm。正如预期的那样，即使是较高的掺杂浓度范围内，器件都能保持高性能。当掺杂浓度从10%到20%时，D-DMeSiB的EQEmax值分别保持在23.5%、21.4%和19.2%，D-DPhSiB的EQEmax值分别保持在24.9%、22.7%和19.3%，这进一步验证了该设计策略在减轻浓度猝灭方面的有效性。
该工作以“Dual-Core and Quenching Resistance of Silicic Linkage-Based Multiple Resonance Thermally Activated Delayed Fluorescence Emitters”为题发表于Adv. Opt. Mater. (2025, DOI: 10.1002/adom.202403139)。
