您的当前位置:
高K前驱体材料发展研究
来源: | 作者:pro60c309 | 发布时间: 2016-10-31 | 5565 次浏览 | 分享到:

现代社会已进入信息时代,以集成电路为代表的微电子技术是信息产业的核心与基础,预计2020年,世界信息产业将达到6万亿美元的规模。最近的统计表明,我国虽然已成为全球最大的地区性集成电路市场,但由于缺少具有自主知识产权的关键材料与核心技术,这已成为制约我国集成电路产业发展的瓶颈。


图1. 国际半导体技术发展蓝图(ITRS)

   自微电子集成电路技术诞生以来,一直遵循着摩尔定律的规律发展。根据
国际半导体技术发展路线图International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS)预测(见图1),45纳米技术代以下,主流金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-oxide-semiconductorMOSFET)器件的等效氧化物栅介质层厚度(Equivalent oxide thickness,EOT)将小于1纳米。传统的多晶硅/SiO2SiON/Si结构,则由于显著的量子直接隧穿效应和多晶硅耗尽效应,器件性能急剧恶化。为此,引入新型的高介电常数(k)栅介质和金属栅材料成为集成电路可持续发展的必然选择。而新型的半导体衬底-高迁移率的沟道材料也成为一条制备高性能新型CMOSComplementary metal oxide semiconductor)器件富有吸引力的途径。

按照ITRS预测,集成电路的高速发展至少将持续到2020年,2013年,集成电路进入32纳米技术代,2016年将进入22纳米技术代。每个技术代对集成电路的关键材料都有特定的需求。目前,Intel已经在量产的45nm技术中,引入了高k材料/金属栅技术,其中高k栅介质采用的是原子层沉积技术制备的铪(Hf)基氧化物材料。

原子层沉积技术(Atomic layer deposition, ALD), 是一种可对膜厚进行近似亚单层(sub-monolayer)精确控制的化学气相沉积技术,自从2001ITRSALD列入与微电子工艺兼容的候选技术以来,其发展势头强劲,这与它独特的自限制(Self-limiting)生长原理密不可分,具有优异的三维贴合性(conformality)、大面积的均匀性、低的沉积温度(RT- 400 oC)、适合界面修饰等特点,在深亚微米集成电路用高k材料等的制备上显示出巨大的应用前景。

目前,在高k材料及其制备技术领域,我国拥有自主知识产权的材料与技术严重不足,这将极大妨碍我国集成电路跨越式发展战略目标的实现。因此,亟需开展极大规模集成电路用高k关键材料技术方面的研究工作。


友情链接:南京大学  南京大学化学化工学院  南京大学现代分析中心  南京大学技术转移中心  郑蒲港新区现代产业园区  南京大学校友网 

地址:马鞍山郑蒲港新区镇淮路现代产业孵化园   联系方式:0555-5585414   传真:0555-5585232   邮箱:wmm@njumas.com

 版权所有 © 马鞍山南京大学高新技术研究院   皖ICP备16020809号   技术支持:友汇网