您的当前位置:
超低介电常数绝缘介质材料
来源: | 作者:pro60c309 | 发布时间: 2016-11-25 | 2727 次浏览 | 分享到:

        南京大学实验室已得到的介电常数低于2.0的高性能材料,在该领域处于国内领先水平,已申请发明专利2项(专利请号:00410044831.5200510037695.1),产业化前景广阔。

  


        随着集成电路特征尺寸的逐渐减小,超低介电常数绝缘介质材料可应用于大规模集成电路、在CPU生成中替代传统Si02以及其他现有低介电薄膜,可十分有效地减少发热和延迟。 我校获得的该超低介电常数的纳米孔氧化硅薄膜材料优点显著:
     1
、介电常数低与2.0
     2
、薄膜中的纳米微孔分布均匀;
     3
、薄膜中的微孔大小尺寸可调;
     4
、薄膜的刚性、柔性可调控;  
     5
、薄膜电学性质稳定;
     6
、与硅片的粘附性好。

联系我们

马鞍山南大高新技术研究院

联系人:何女士

座机:0555-5585325

传真:0555-5585325

邮箱:sales@njumas.com(销售)

地址:马鞍山郑蒲港新区镇淮路现代产业孵化园

友情链接:南京大学  南京大学化学化工学院  南京大学现代分析中心  南京大学技术转移中心  郑蒲港新区现代产业园区  南京大学校友网 

地址:马鞍山郑蒲港新区镇淮路现代产业孵化园   联系方式:0555-5585414   传真:0555-5585232   邮箱:wmm@njumas.com

 版权所有 © 马鞍山南京大学高新技术研究院   皖ICP备16020809号   技术支持:友汇网