您的当前位置:
高K前驱体材料
来源: | 作者:pro60c309 | 发布时间: 2016-10-31 | 3119 次浏览 | 分享到:

信息技术发展的程度和水平已经成为衡量一个国家高技术发展水平的主要标志之一,以集成电路为代表的微电子技术是信息技术和产业的核心和基础。但当器件到了32nm以下技术代时,硅材料的漏电问题将变得十分突出,解决这一问题的办法就是使用高K栅介质和金属栅极,以替代原来的硅材料。我国实际已经成为全球最大的地区性集成电路市场,但缺少具有自主知识产权的关键材料和核心技术。

针对32-22nm以下技术节点记大规模集成电路CMOS技术需要,解决硅材料的漏电流问题,开发具有自主知识产权的高K前躯体及其合成工艺,制备出几种性能优良的用于32-22nm CMOS器件栅介质、RF电路无源MIM器件以及先进存储器的高K材料,并实现其产业化,奠定以集成电路为代表的微电子技术的迅猛发展。


突破国外技术封锁,产品上线测试成功!


 



联系我们

马鞍山南大高新技术研究院

联系人:何女士

座机:0555-5585325

传真:0555-5585325

邮箱:sales@njumas.com(销售)

地址:马鞍山郑蒲港新区镇淮路现代产业孵化园

友情链接:南京大学  南京大学化学化工学院  南京大学现代分析中心  南京大学技术转移中心  郑蒲港新区现代产业园区  南京大学校友网 

地址:马鞍山郑蒲港新区镇淮路现代产业孵化园   联系方式:0555-5585414   传真:0555-5585232   邮箱:wmm@njumas.com

 版权所有 © 马鞍山南京大学高新技术研究院   皖ICP备16020809号   技术支持:友汇网