信息技术发展的程度和水平已经成为衡量一个国家高技术发展水平的主要标志之一，以集成电路为代表的微电子技术是信息技术和产业的核心和基础。但当器件到了32nm以下技术代时，硅材料的漏电问题将变得十分突出，解决这一问题的办法就是使用高K栅介质和金属栅极，以替代原来的硅材料。我国实际已经成为全球最大的地区性集成电路市场，但缺少具有自主知识产权的关键材料和核心技术。

针对32-22nm以下技术节点记大规模集成电路CMOS技术需要，解决硅材料的漏电流问题，开发具有自主知识产权的高K前躯体及其合成工艺，制备出几种性能优良的用于32-22nm CMOS器件栅介质、RF电路无源MIM器件以及先进存储器的高K材料，并实现其产业化，奠定以集成电路为代表的微电子技术的迅猛发展。

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